薄膜堆積・電子材料用前駆体

本シリーズは、トリメチルアルミニウム（TMA）およびヘキサアンミンコバルト（III）クロリドで構成されています。いずれも高純度の配位化合物または有機金属前駆体であり、主に原子層堆積（ALD）、化学気相成長（CVD）などの先端薄膜製造プロセスに使用されます。

トリメチルアルミニウム（TMA）

トリメチルアルミニウム（TMA）は、ALDプロセスで広く使用されている代表的なアルミニウム源前駆体です。半導体デバイスの高誘電率（High-k）誘電体層、ゲート酸化膜およびパッシベーション層の形成に利用されています。

主な選定基準には、ppbレベルの金属不純物含有量、蒸気圧の安定性およびロット間の一貫性が含まれます。

ヘキサアンミンコバルト（III）クロリド

ヘキサアンミンコバルト（III）クロリドは、コバルト金属薄膜の成膜、または特定の触媒システム向けのコバルト源前駆体として使用されます。

重要な性能指標には、配位構造の完全性、溶解性および熱分解温度が含まれます。

当社では、以下の技術資料およびサービスを提供しています。

• 技術データシート（TDS）

• ICP-MSによる金属不純物分析レポート

• 安全データシート（SDS）

• バブラーシリンダー、ステンレス製容器などの特殊包装

• 輸出関連法規への適合を示す一連の書類

これらの資料およびサービスにより、お客様の材料認定期間を短縮し、サプライチェーン上のリスク低減を支援します。